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A3I35D025WNR1
射频放大器 LDMOS Wdbnd Pwr Amp 3200-4000 MH 3.4W28V
A7102CHTK2/T0BC2AJ
安全IC/验证IC A71CH Plug & Trust extended temp
A1006UK/TA1NXZ
安全IC/验证IC Secure Authenticator
A1006TL/TA1NXZ
A7101CHTK2/T0BC2VJ
安全IC/验证IC A71CH Plug & Trust standard temp
A7101CHUK/T0BC2HAZ
安全IC/验证IC With standard temp range (-25 to +85 C)<br>WLCSP Package
A7101CHTK2/T0BC2BJ
安全IC/验证IC With standard temp range (-25 to +85 C)<br>-BJ: Ready for IBM Watson IoT <br>-VJ: Customer Programmable
ADTJA1101-RMII
以太网开发工具 ADTJA1101-RMII/HWONLY///BOARDS NO MARK
A3T23H450W23SR6
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
A2T27S007NT1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T27S007N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
A2T27S020GNR1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T27S020GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
A2T27S020NR1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T27S020N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
A3G18H500-04SR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G18H500-04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
A3G22H400-04SR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V
A2V07H400-04NR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V07H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
A2G22S190-01SR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2G22S190-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
A3G20S250-01SR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G20S250-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
AFIC31025GNR1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC31025GN/FM17F///REEL 13 Q2 DP
AFIC31025NR1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC31025N/FM17F///REEL 13 Q2 DP
A3T21H455W23SR6
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H455W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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