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A3G20S250-01SR3相关型号
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图片仅供参考,请参考产品描述

  • A3G20S250-01SR3

  • 制造商:NXP Semiconductors
  • 批号:19+
  • 描述:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G20S250-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,A3G20S250-01SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:NXP
  • 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 技术:GaN Si
  • Id-连续漏极电流:250 mA
  • Vds-漏源极击穿电压:150 V
  • 增益:18.2 dB
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:NI-400S-2
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 工作频率:1800 MHz to 2200 MHz
  • 系列:A3G20S250
  • 类型:RF Power MOSFET
  • 商标:NXP Semiconductors
  • 通道数量:1 Channel
  • 产品类型:RF MOSFET Transistors
  • 工厂包装数量:250
  • 子类别:MOSFETs
  • Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V
  • Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.3 V
  • 零件号别名:935377832118

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