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BFU580GX相关型号
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图片仅供参考，请参考产品描述

  • BFU580GX

  • 制造商：NXP Semiconductors
  • 批号：19+
  • 描述：射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:NXP
  • 产品种类:射频(RF)双极晶体管
  • RoHS:是
  • 晶体管类型:Bipolar Wideband
  • 技术:Si
  • 晶体管极性:NPN
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:60
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:16 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V
  • 集电极连续电流:30 mA
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 配置:Single
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOT-223-4
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 集电极—基极电压 VCBO:24 V
  • 直流电流增益 hFE 最大值:130
  • 工作频率:900 MHz
  • 工作温度范围:- 40 C to + 150 C
  • 类型:Wideband RF Transistor
  • 商标:NXP Semiconductors
  • 增益带宽产品fT:11 GHz
  • 最大直流电集电极电流:100 mA
  • Pd-功率耗散:1000 mW
  • 产品类型:RF Bipolar Transistors
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:Transistors
  • 零件号别名:934067974115
  • 单位重量:97.726 mg

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