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BGS8M4UKZ相关型号
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  • A3T23H300W23SR6

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H300W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP

  • A3G35H100-04SR3

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G35H100-04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP

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  • A2T18S166W12SR3

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S166W12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP

  • A2T21S161W12SR3

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NXP(恩智浦)热销型号
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    显示驱动器和控制器 TL BALLAST

  • UJA1168TK/VX/FDJ

    CAN 接口集成电路 Mini high-speed CAN system basis chip

  • UJA1167TK/VX,118

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  • UJA1132HW/5V0Y

    专业电源管理 (PMIC) Buck/Boost HS-CAN Dual LIN System

  • UJA1131HW/3V3Y

    专业电源管理 (PMIC) Buck/Boost HS-CAN Dual LIN System

  • UJA1136HW/5V0Y

    专业电源管理 (PMIC) Buck/Boost HS-CAN Dual LIN System

  • UJA1136HW/3V3Y

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    专业电源管理 (PMIC) Buck/Boost HS-CAN Dual LIN System

图片仅供参考,请参考产品描述

  • BGS8M4UKZ

  • 制造商:NXP Semiconductors
  • 批号:19+
  • 描述:射频放大器 SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 制造商:NXP
  • 产品种类:射频放大器
  • RoHS:
  • 封装:Reel
  • 商标:NXP Semiconductors
  • 产品类型:RF Amplifier
  • 工厂包装数量:20000
  • 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits
  • 零件号别名:934069926019
  • 单位重量:0.158 mg

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