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图片仅供参考，请参考产品描述

  • MHT1108NT1

  • 制造商：NXP Semiconductors
  • 批号：19+
  • 描述：射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1108N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:NXP
  • 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 技术:Si
  • Id-连续漏极电流:143 mA
  • Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 65 V
  • 增益:18.1 dB
  • 输出功率:12.5 W
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:DFN-16
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 工作频率:2450 MHz
  • 系列:MHT1108N
  • 类型:RF Power MOSFET
  • 商标:NXP Semiconductors
  • Pd-功率耗散:32.9 W
  • 产品类型:RF MOSFET Transistors
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:MOSFETs
  • Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V
  • Vgs th-栅源极阈值电压:0.8 V
  • 零件号别名:935337042515
  • 单位重量:0.001 mg

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