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图片仅供参考，请参考产品描述

  • MRF101BN

  • 制造商：NXP Semiconductors
  • 批号：19+
  • 描述：射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101BN/SIL3///TUBE NDP SMALL
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:NXP
  • 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 技术:Si
  • Id-连续漏极电流:8.8 A
  • Vds-漏源极击穿电压:133 V
  • 增益:21.1 dB
  • 输出功率:100 W
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220-3
  • 封装:Tube
  • 工作频率:1.8 MHz to 250 MHz
  • 系列:MRF101
  • 类型:RF Power MOSFET
  • 商标:NXP Semiconductors
  • 正向跨导 - 最小值:7.1 S
  • 通道数量:1 Channel
  • Pd-功率耗散:182 W
  • 产品类型:RF MOSFET Transistors
  • 工厂包装数量:250
  • 子类别:MOSFETs
  • Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, + 10 V
  • Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V
  • 零件号别名:935377234129

其它信息

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